基本參數(shù)

1、基片尺寸：4吋及以下；

2、樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)：自轉(zhuǎn)速度0～10轉(zhuǎn)/分；

3、基片升降:蒸鍍距離200mm～300mm可調(diào)；

4、操作方式：半自動(dòng)操作；

5、系統(tǒng)總控：人機(jī)界面及程序；

6、電 源：220VAC/50Hz，9KW；

7、機(jī)器重量：500kg；

8、機(jī)器尺寸: D810mm× W1220mm×H1830mm。

蒸發(fā)源、電源及鍍膜室

1、蒸發(fā)源（金屬舟狀）1套；

2、金屬蒸發(fā)源電源1套；

3、有機(jī)蒸發(fā)源3套，加熱溫度：室溫～500℃可調(diào)可控；

4、有機(jī)蒸發(fā)電源1套；

5、蒸發(fā)源均配置擋板，防止互相污染；

6、真空腔體用優(yōu)質(zhì)304不銹鋼（前開(kāi)門），表面電解處理；

7、極限真空：5×10-5Pa；工作真空：7×10-4Pa；

8、恢復(fù)工作真空時(shí)間：≤35分鐘左右（新設(shè)備充干氮?dú)猓?

9、漏率：關(guān)機(jī)12小時(shí)真空度≤10Pa。

膜厚監(jiān)測(cè)及保護(hù)系統(tǒng)

1、配備膜厚監(jiān)測(cè)儀；

2、配備1支水冷膜厚探頭；

3、設(shè)備保護(hù)系統(tǒng)：系統(tǒng)有自動(dòng)監(jiān)控和保護(hù)功能強(qiáng)，包括真空檢測(cè)、缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)。